GaN是一種種新半導體技術原料，非常迅猛發展前沿技術在航天科技和軍事化前沿技術。更具強力的熱傳導速度、耐高溫膠水天氣和為耐堿酸等基本特征。以GaN HEMT電子器件來說，評價指標普通一般包括直流變壓器電壓基本特征（直流變壓器電壓I-V測式圖片）、頻次基本特征（小信息S技術指標測式圖片）、工作電壓基本特征(Load-Pull測式圖片)。