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●   高電壓達3500V(最大擴展至12kV)

●   大電流(liu)達6000A(多模塊并聯)

●   nA級漏(lou)電(dian)流μΩ級導通(tong)電(dian)阻(zu)

●   高(gao)精度測(ce)量(liang)0.1%

●   模塊化(hua)配置(zhi)，可(ke)添(tian)加或升級(ji)測量單(dan)元，可(ke)保證IV、CV、跨導(dao)等(deng)多(duo)職能的結合檢查

●   測試(shi)效率(lv)高，自動切(qie)換、一鍵(jian)測試(shi)

●   溫(wen)(wen)度范圍(wei)廣，支(zhi)持(chi)常(chang)溫(wen)(wen)、高(gao)溫(wen)(wen)測試(shi)

●   兼容多種封裝，根據測試需求定制(zhi)夾具

測試項目

●   二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線

●   三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

●   Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES柵極內阻Rg、輸(shu)(shu)入(ru)電容Ciss/Cies、輸(shu)(shu)出(chu)電容Coss/Coes、反向傳輸(shu)(shu)電容Crss/Cres、跨導gfs、輸(shu)(shu)出(chu)特(te)性(xing)曲(qu)線(xian)、轉移特(te)性(xing)曲(qu)線(xian)、C-V特(te)性(xing)曲(qu)線(xian)

●   光耦(四端口(kou)以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電(dian)(dian)容CT、輸出電(dian)(dian)容CCE、電(dian)(dian)流傳輸比(bi)CTR、隔(ge)離電(dian)(dian)容CIO

系統優勢

1、IGBT等大(da)功率器件(jian)由于其(qi)功率特(te)點(dian)極易產(chan)生(sheng)大(da)量熱(re)量，施加應力(li)時(shi)間長，溫(wen)度迅速上升，嚴(yan)重時(shi)會使器件(jian)損壞，且不(bu)符合器件(jian)工(gong)作特(te)性。普(pu)賽(sai)斯直流高壓模組設立的時(shi)期(qi)超(chao)過5ms，在檢(jian)測時(shi)候(hou)中可(ke)能(neng)縮短(duan)待測物(wu)加電(dian)時(shi)期(qi)的變(bian)燙。

2、高(gao)壓力(li)下(xia)漏(lou)(lou)電流(liu)的(de)各種檢(jian)(jian)驗水平無可(ke)比擬，各種檢(jian)(jian)驗重(zhong)疊率更為重(zhong)要新國際茶葉品牌。市(shi)面上絕(jue)大多數器件的(de)規格書(shu)顯示，小模塊在高(gao)溫測(ce)試(shi)(shi)時漏(lou)(lou)電流(liu)一般大于5mA，而車規級三相(xiang)半橋高(gao)溫下(xia)漏(lou)(lou)電大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規格書(shu)為例：3300V，125℃測(ce)試(shi)(shi)條件下(xia)ICES典型值14mA，最大40mA。普賽斯(si)靜態系統高(gao)壓模塊測(ce)試(shi)(shi)幾乎(hu)可(ke)以完美應(ying)對所(suo)有類型器件的(de)漏(lou)(lou)電流(liu)測(ce)試(shi)(shi)需(xu)求。

PMST輸出電力電子器件動態系統軟件不同于品種分配類型規范：