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SPA6100半導體參數分析儀

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        SPA6100半導規格闡述儀具備著高準確度、寬在線測量區域、 快捷輕松、兼容問題強等優勢,產品的能夠 同時蘋果支持DC電阻值電流-電阻值(I-V)、電阻-電阻值(C-V)各類高流超高壓下電脈沖式I-V特質的各種測試。        依據模塊圖片化的框架開發,可能促進微信用戶只能根據試驗需用,靈便配置估測機組使用優化。好產品不支持上限1200V電壓值、100A大電壓、1pA小電壓糞便率的估測,另外驗測10kHz至1MHz比率內的多頻AC電容(電容器)估測。        配置專門用半導體元器件技術參數測試軟件英文app軟件,可以支持溝通互動式自動方法或依照電極臺的自動方法,才可以從測量方法放置、連接、后果分析一下到數據表格的管理的全部整個階段,控制有效和可再次的元器件研究方法;也可與高地溫箱、溫度控制板塊等穿搭動用,需要滿足高地溫測試軟件英文實際需求。

產品特點

●    30μV-1200V,1pA-100A 寬量程測(ce)試能力(li)

●     測量精度高(gao),全量程下可達(da)0.03%

●     內置標準器件測試程序,直接調用測試簡便 

●     自動實(shi)時參數(shu)提取、 數(shu)據繪圖、分析(xi)函數(shu)

●     在CV和IV測量(liang)之間快速切(qie)換(huan)而無(wu)需重(zhong)新布線(xian)

●     提供靈活的夾(jia)具定制方案,兼容(rong)性(xing)強

●     免(mian)費提供上位(wei)機軟件(jian)及SCPI指令集


技術應用3d場景及檢驗規格

1、納米材料:電(dian)阻率(lv)、載流(liu)子(zi)遷移率(lv)、載流(liu)子(zi)濃度、霍爾電(dian)壓

2、柔性材料:拉伸/扭轉/彎折(zhe)、V-t、I-t、R-t、電(dian)阻(zu)率、靈敏度

3、IC芯片:O/S、IIH/IIL、VOH/VOL、I/O Pin IV曲線

4、分立器件:BVDSS/IGSS/IDSS/Vgs(th)/Rdson、Ciss/Coss/Crss、輸出/轉移/CV曲線(xian)等(deng)

5、光電探測器:暗電(dian)(dian)流(liu)ID、結電(dian)(dian)容Ct、反向(xiang)擊穿電(dian)(dian)壓VBR、響應度R

6、鈣鈦礦電池:VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、FF、η、Rs、Rsh

7、LD/LED/OLED:Iop、Popt、VF、Ith、VR、IR、LIV/IVL曲線(xian)

8、傳感器/憶阻器:V-t、I-t、R-t、直流/脈(mo)沖/交流IV測試


特性優點

1、模塊化配置:可靈活配置多種(zhong)測量單元,預留升級空(kong)間,方便后期升級

2、圖形化界面:內置常用器件模(mo)板(ban),可(ke)直接調(diao)用,并且支持輸出三種模(mo)式測試報(bao)告(gao)

3、自動化測試:內(nei)嵌低漏電矩陣(zhen)開關,可自(zi)動切換測(ce)試電路(lu),實現一鍵測(ce)試功(gong)能

4、夾具可定制:支持二極管(guan)(guan)、三(san)極管(guan)(guan)、Si及SiC MOS管(guan)(guan)、IGBT等(deng)器(qi)件

5、多設備聯動:可與探針(zhen)臺(tai)、溫控(kong)模(mo)塊(kuai)等搭配使用,溫控(kong)范圍:室(shi)溫~250℃

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緩(huan)慢半(ban)導體行業建材、處(chu)理器(qi)元器(qi)來設(she)計或是好技術的(de)開拓查(cha)驗

1、使用直流電壓、脈沖信號I-V檢驗

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2、自帶職業分塊矩陣電開關,提高自己測量質量

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3、可與三種主設備對接適用:晶圓級處理芯片性能指標測式都要與測試探針臺對接,信得過性評定會牽扯干燥各類高溫度低等標準

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4、三同軸網纜上升小感應電流測評控制精度

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多邊形化手(shou)機app頁面

合作普賽斯數字化開發的技術專業試驗pc電腦軟件,SPA6100可更快保證半導體設備的材料,功率功率器件的基本參數指標試驗。平臺內裝置使用功率功率器件文檔模板,如穩壓管, 晶體管,MOSFET。試驗進程中,可隨便取用,只需簡單化裝置試驗基本參數指標可以了。pc電腦軟件幫助試驗資料表現,各類擬合折線繪出。試驗完了 后,可將資料各類擬合折線導入留存。

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機靈(ling)可(ke)訂制化的夾具(ju)設計情況報告(gao)

對應市體上上各不相同電感封裝類行的半導體材料器材成品設備,普賽斯給予小套車床夾具設計解決辦法運輸方案。車床夾具設計兼有低輸出阻抗、裝置十分簡單、類型非常豐富等特質,可 用到電感、單晶體管、場作用單晶體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管,模組類成品設備的測驗;也可與探頭臺相連,實現了晶圓級存儲芯片 測驗。


有所差(cha)異二極管(guan)封裝多種類(lei)型的車床夾(jia)具(ju)

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產品選型

血壓低壓高電流I-V源精確測量單元測試卷(juan)

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率
SPA-S1000.1%30V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S2000.1%100V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S3000.1%300V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S100B0.03%30V300mV30μV3A100nA10pA
SPA-S200B0.03%100V300mV30μV3A100nA10pA
SPA-S300B0.03%300V300mV30μV3A100nA10pA

血(xue)壓低壓高輸入脈沖(chong)I-V源(yuan)測定摸塊

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率最小脈沖寬度
SPA-P1000.1%30V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P2000.1%100V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P3000.1%300V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P100B0.03%30V300mV30μV4A(直流電壓) / 30A(輸入脈沖)100nA1pA200μs
SPA-P200B0.03%100V300mV30μV4A(直流) / 30A(脈沖)100nA1pA200μs
SPA-P300B0.03%300V300mV30μV4A(直流) / 30A(脈沖)100nA1pA200μs

進行高壓I-V源量測機組(zu)

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率
SPA-E1000.1%1200V100V10mV100mA1μA100pA

高流I-V源校正(zheng)單元尺(chi)寸(cun)

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率最小脈沖寬度
SPA-HCP1000.1%50V300mV30μV30A(直流)/30A(脈沖)100nA10pA80μs
SPA-HCP2000.1%50V300mV30μV30A(直流)/30A(脈沖)100nA10pA80μs
SPA-HCP3000.1%100V300mV30μV30A(直流)/100A(脈沖)100nA10pA80μs

濾波電容衡量模塊

型號測試頻率測試點數頻率分辨率頻率輸出精度基本精度內部直流偏置信號可測參數與量程
SPA-C10010Hz-1MHz可編程5 位±0.1%±0.5%10mV to 2V (1mV 分辨率) / 100uA-20mA|Z| , R, X   0.001mΩ-99.999MΩ|Y| , G, B   0.1nS-99.999SCs Cp   0.01pF-9.9999F



*以上的技術參數若有系統更新,恕不額外通知格式。

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