盛夏已過，初秋開場

十一月的溫度高仍然長期不散的生活也難免會被解被紛繁的事情獻祭

高壓電大效率(6500V/3000A)IGBT試驗難？伴如今工作具體需求急、責任重、請求高水利機械工程師們工作壓力山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

伴隨SiC與Si優點的各種，SiC MOSFET的閥值法法額定額定端電壓含有不保持穩定判定，在元件應力軟件測試英文時中閥值法法額定額定端電壓會產生特別漂移，導至其電性能指標應力軟件測試英文已經中高溫柵偏應力軟件測試后的電應力軟件測試英文報告嚴重性依耐于應力軟件測試英文狀況。往往閥值法法額定額定端電壓的更準確應力軟件測試英文，實施穩定可靠系數應力軟件測試英文的方法有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通電阻值 RDSon為的影響配件崗位時導通損耗率的一為重要特證叁數，其結果會隨 VGS 與T的轉變而提升。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保護性都可以將電壓直流電或者是直流電被限在SOA區域中，以免 元器件封裝損害或炸管。

自測水平：800V 恒壓 10μA 限流

測試測試前提條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）電流量檢側三極管將增加導通電壓降檢測的高精準度；? SOCKET與PIN碰到內阻、公測引線導通內阻。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，瞬時電流正弦波形諧振；? 新線路等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 高級同軸電纜線的等效電容（電容器）與DUT電容串聯，SMU測試軟件時持續上升已經固定時光長；? 三同軸拖鏈電纜等效電容（電容器）近乎為0。

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